Samsung anuncia os chips DRAM DDR4 de 10 nm da terceira geração

A Samsung Electronics Corporation anunciou o desenvolvimento de novos microcircuitos DDR4 DRAM de terceira geração fabricados com o processo de 10nm (1z-nm). Chips com capacidade de 8 Gbps (1 GB) entrarão em produção em massa no segundo semestre deste ano.

Para referência, a classe de 10 nm abrange a tecnologia de processo real de 10 a 19 nm, com cada letra na classificação da Samsung correspondendo a um valor específico. 1x são chips de 18-19 nm da primeira geração, 1y – 15-17 nm (segunda geração) e 1z – 12-15 nm (terceira geração).

Diz-se que o uso da tecnologia de processo de 1z-nm proporciona um aumento no desempenho em comparação com chips de 8 gigabits da classe de 10 nm da segunda geração em mais de 20% e também aumenta o número de chips prontos de uma pastilha semicondutora.

Os principais consumidores de nova memória devem ser os segmentos de PCs de alto desempenho e servidores corporativos a partir do próximo ano. Além disso, o domínio bem-sucedido da tecnologia de processo de 1nm a 10nm abre o caminho para o início do desenvolvimento em massa de novos tipos de memória DDR5, LPDDR5 e GDDR6, que aparecerão em muitos produtos de consumo no futuro.

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Fonte: hardware.com.br
Author: William R. Plaza

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